瀏覽數量： 103 作者： 本站編輯 發佈時間： 2025-12-30 來源： 本站
芯長征半導體 IGBT 優勢分析
芯長征半導體在 IGBT 領域的競爭優勢主要體現在技術深度、產品性能與車規級製造能力上：
1. 領先的晶片技術與迭代能力
芯長征是國內最早實現溝槽柵場截止技術 (Trench + FS) 突破並實現量產的團隊，且自主掌握的晶片技術與國際功率器件巨頭的同代國際最先進技術相當。
技術路線： 芯長征採用「銷售一代、研發一代、儲備一代」的晶片技術迭代策略。
MPT8 技術優勢： 芯長征擁有領先國際的第八代 MPT8 IGBT 技術。
MPT8 的單元間距 (cell pitch) 比 MPT7 低 20% 以上，能實現更高的功率密度。
用於新能源汽車應用時，與同規格 MPT7 相比，出流 (Current Output) 可提升 10%~20%。
性能平衡： 芯長征 IGBT 採用先進的 Trench Field Stop (Trench FS) 技術，優化平衡了靜態、動態和短路參數，以實現最佳性能。
具備較低的飽和壓降、更快的開關速度，以及更強的短路耐受能力。
飽和壓降 (VCEsat) 具有正溫度係數，有助於並聯使用時的參數一致性。
芯長征的產品已通過嚴格的車規級考核標準 (HV-H3TRB)，並具備完善的品質管理體系。
車規認證： 公司擁有 IATF16949 汽車品質管理體系標準。
製造與封裝： 芯長征擁有自主可控的全自動化車規模組生產線，並具備超聲波焊接、銅線鍵合和燒結工藝能力，滿足車用、光伏、風電等高可靠性模組需求。
新材料應用： 模組採用 SiN AMB 等新材料，能提供更高的強度和更強的散熱能力。
可靠性測試： 模組出廠前進行 100% 動態測試、100% 無功老化 (Reactive load stress aging) 和 100% 絕緣耐壓測試，可有效降低早期故障率。
3. 穩健的供應鏈與產能
芯長征已建立設計、製造、封測、可靠性、失效分析、方案開發的垂直產業鏈，形成了自主可控的 Virtual-IDM 體系。
晶片代工： 具備充足的產能保障，並與中芯國際等代工廠進行深度捆綁和戰略合作。
模組產能： 威海和南京有自有模組封裝線。例如，IGBT 晶片產能在 2023 年預計達到工業級 10000 wafer/M。
芯長征半導體 專利與知識產權重點
芯長征集團擁有完善的專利佈局，為客戶在海外拓展提供穩健的支撐。
知識產權類型 | 授權數量 | 備註 |
已申請知識產權總數 | 200+ 項 | - |
授權國家發明專利 | 53 項 | - |
實用新型專利 | 46 項 | - |
外觀專利 | 37 項 | - |
授權國際專利 | 1 項 | - |
積體電路佈圖 | 14 項 | - |
電腦軟體著作權 | 61 項 | - |
戰略專利池 | 1000+ 項 功率半導體專利 |
芯長征半導體 產品重點 (IGBT 為主)
芯長征的產品線主要涵蓋矽基晶片及模組 (IGBT, MOSFET) 和第三代半導體 (SiC, GaN)，產品種類超過 400 餘款。
1. 新能源汽車領域 (Main/Auxiliary Inverters)
IGBT 模組在電動汽車主驅中扮演關鍵角色，將電池直流電轉換為交流電驅動馬達。
主力產品： 750V / 1200V IGBT 模組，採用 HybridPACK Drive (HPD) 或 EconoDUAL3 等主流封裝。
已實現乘用車主驅 IGBT 模組的批量出貨，性能與國際一線品牌相當。
例如，750V 820A HPD 模組 (MPFS820R08PBF) 在新能源車主驅領域有大量出貨實績。
配套產品： 提供 SiC MOS 產品用於車載充電器 (OBC) 和 DC/DC 轉換器。
2. 清潔能源領域 (光伏、儲能、風電)
芯長征的 IGBT 產品廣泛應用於光伏逆變器和儲能系統 (ESS)。
光儲產品： 提供 650V、1200V 及 1700V 的單管和模組，適用於戶用、組串式和集中式儲能變流器。
模組包括 Flow2、Easy 3B、EconoDUAL 3 等封裝。
風電產品： 提供 1700V 系列產品，適用於兆瓦級電網連接風電系統，具備低損耗和高可靠性。
3. 工業控制領域 (Inverters, Motor Drives)
IGBT 模組是電機驅動和變頻器 (VFD) 的核心元件。
產品線： 涵蓋半橋模組、PIM (Power Integrated Module) 和單管產品。
應用範圍： 變頻器、逆變焊機、感應加熱。例如，針對高功率商用感應加熱，提供 1200V 150A/200A 雙單元 IGBT 模組。
IGBT 與 MOSFET 優點分析
IGBT 和 SiC MOSFET 在高功率/高電壓應用中如何超越傳統矽基 MOSFET 的局限性。
MOSFET 與 IGBT 優點比較分析
特性 | MOSFET (矽基，如 SJ/Trench MOS) | IGBT (矽基) | SiC MOSFET (第三代半導體) |
控制方式 | 電壓控制 (單極型) | 電壓控制 (雙極型) | 電壓控制 (單極型) |
主要損耗 | 導通損耗 (RDS(on)) | 導通損耗 (VCEsat) 與開關損耗 | 導通損耗 (RDS(on)) 極低 |
開關速度/頻率 | 非常快，適合中高頻率 | 較慢，適用於中等頻率 (如 VFD，通常 < 50kHz) | 極快，開關損耗低且受溫度影響小，適合極高頻率 |
電壓/功率等級 | 適用於中低壓、低至中功率 (芯長征提供 30V-800V VDMOS/SJ MOS) | 高電壓、高功率首選 (芯長征提供 600V-6500V 產品) | 高電壓、高效率首選 (芯長征提供 1200V SiC) |
溫度特性 | RDS(on) 受溫度影響大 | 具備正溫度係數，易於並聯 | 適用更高結溫 (Tjmax 175℃)，溫度餘裕高 |
芯長征應用 | 開關電源、BMS、低壓 DC/DC、白電變頻器 (低功率) | EV 主驅、光伏、風電、高功率工控 (核心高端市場) | OBC、高頻 DC/DC、高端光伏 DC/AC 級 |
矽基 MOSFET 在電壓超過約 600V 後，導通電阻會急劇上升，難以實現高功率輸出。芯長征的產品正好解決了這個瓶頸：
市場升級契機：從中低功率邁向新能源高功率應用。
傳統 MOSFET 主要用於低壓或中功率白電及電源領域。新能源汽車、光伏逆變器和大型工控變頻器等領域，需要 600V 以上的高功率密度解決方案，這是 IGBT 的核心優勢區。
芯長征的 IGBT 模組 (如車規級 HPD 模組) 和高壓單管，能讓您的客戶直接進入高價值、高成長的新能源市場，例如新能源汽車主驅，這是傳統 MOSFET 無法滿足的。
高頻率高效率的終極解決方案：SiC MOSFET。
追求更高的頻率和效率（例如用於 OBC、充電樁或微逆變器），芯長征的 SiC MOSFET 產品能提供比傳統矽基器件更低阻抗、更高頻率、更高溫度的優勢。
SiC MOSFET 結合了 MOSFET 的開關特性（單極性，開關損耗低）和高電壓特性，能實現拓撲簡化和無源元件尺寸縮小。
技術與品質的保障：國際領先的技術對標與車規級品質。
芯長征的 IGBT 技術（如 MPT7 和 MPT8）能對標國際功率器件巨頭的最新一代產品。
憑藉 IATF16949 認證和嚴苛的車規級品控，芯長征的 IGBT 模組在品質和可靠性上具有強大競爭力，尤其在要求極高的汽車和光儲市場已實現批量出貨。
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屴群科技有限公司FLY-TEK TECHNOLOGY CO.,LTD.
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