芯長征半導體 IGBT 優勢分析芯長征半導體在 IGBT 領域的競爭優勢主要體現在技術深度、產品性能與車規級製造能力上：1. 領先的晶片技術與迭代能力芯長征是國內最早實現溝槽柵場截止技術 (Trench + FS) 突破並實現量產的團隊，且自主掌握的晶片技術與國際功率器件巨頭的同代國際最先進技術相當。技術路線： 芯長征採用「銷售一代、研發一代、儲備一代」的晶片技術迭代策略。MPT8 技術優勢： 芯長征擁有領先國際的第八代 MPT8 IGBT 技術。 MPT8 的單元間距 (cell pitch) 比 MPT7 低 20% 以上，能實現更高的功率密度。用於新能源汽車應用時，與同規格 MPT7 相